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Guide d’ondes silicium

Fabrication de guides d’onde Si ultra-faibles pertes

Dans le cadre de l’IRT Nanoelec, en collaboration avec le département optique du Leti (DOPT), nous travaillons sur l’optimisation des procédés de fabrication de guides d’onde Si aux pertes ultra-faibles. En introduisant un recuit sous hydrogène, nous avons réduit la rugosité du flanc des guides d’ondes Si (RMS=0.25 nm) et obtenu des pertes optiques record à l’échelle internationale (<1.1db/cm pour des guides STRIP et <0.3db/cm pour des guides RIB quelle que soit la largeur des guides mesurée à 1310 nm).

Collab. DOPT/Leti, IRT Nanoelec

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