Moyens de microscopie électronique (FIB-SEM, STEM, EDX)

Le LTM dispose d’un équipement de microscopie électronique de type FIB-SEM Helios NanoLab 450s (Focused Ion Beam – Scanning Electron Microscope) de chez FEI (fig.1) permettant de réaliser des lames minces inférieur à 50 nm d’épaisseur (fig.2) et de les observer in-situ (fig.3) grâce à un détecteur STEM (Scanning Transmission Electron Microscope).

En pratique, cet outil permet de prélever précisément des régions d’intérêt sur substrat et de les préparer sous forme de lame mince en cross-section grâce aux fonctionnalités intégrées de dépôt, gravure et imagerie.

Grâce à la haute résolution du faisceau d’électron issue d’une source électronique FEG (field-emission-gun), l’imagerie STEM bénéficie d’une résolution allant jusqu’à 1nm à 30 keV.

Ces caractérisations par microscopie électronique en transmission sont maîtrisées et couramment utilisées au LTM. Situé sur le site du CEA Grenoble, le LTM bénéficie également de moyens de caractérisation de la PFNC (Plateforme de Nano-caractérisation) localisée dans le bâtiment Minatec.

Fig.1= FIB-SEM équipé de détecteurs : i- d’électrons secondaires (ETD, TLD), ii- d’électrons transmis (STEM), iii- d’électrons rétrodiffusés (BSD).

Fig.2= LAME MINCE / Image SEM d’une lame mince en cross-section.

Fig.3= Imagerie STEM à 30keV de lame mince en cross-section: Image STEM d’une croissance sélective de GaAs épitaxié sur Si(001).

Fig.4= Image STEM d’un copolymère à block organisé.