Nous avons initié une étude portant sur l’élaboration de couches minces de Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) dans sa phase ferroélectrique et piézoélectriques (la phase orthorhombique). Ce matériau possède un réel avantage par rapport aux matériaux ferroélectriques ou piézoélectriques classiques (ex. PZT) étant donné qu’il est compatible CMOS et qu’il ne contient pas d’éléments toxiques, contrairement au PZT. L’originalité de notre approche réside dans l’utilisation du procédé de dépôt par pulvérisation cathodique (PVD) d’une mono-cible de HZO. Cette étude sera poursuivie dans le but de déterminer son potentiel d’application dans des dispositifs MEMS.
Personnes impliquées: T. Luciani, F. Bassani, M. B. Hachemi, S. Labau, B. Pilissier, B. Salem, A. Bsiesy
