Ainsi, le choix du diélectrique et les conditions de son dépôt vont tous deux impacter grandement les caractéristiques électriques du transistor. Au LTM et en étroite collaboration avec le CEA-Leti et ST Microelectronics, nous réalisons des structures capacitives composés d’un empilement Métal-Isolant-GaN qui permettent d’étudier le comportement du diélectrique et de l’interface diélectrique/GaN et ainsi proposer des pistes d’amélioration des transistors. En complément, des mesures XPS angulaires, AFM, des coupes FIB-STEM et TEM sont menées.
Personnes impliquées : M. Legallais, F. Bassani, T. Baron, S. Labau, B. Pelissier, S. David et B. Salem