La croissance de GaN sur Si donne lieu à de multiples développements pour réduire le taux de dislocations et ainsi améliorer la qualité des couches et empilements pour la réalisation de composants optiques tels que µLEDs et lasers.
Nous avons développé un procédé technologique pour réaliser des piliers dans un empilement GaN sur substrat SOI.
La déformation des piliers de 150 nm de diamètre lors de la recroissance par pendeo épitaxie permet une amélioration sensible de la qualité des couches recrues.
Ce procédé est basé sur une étape de nanoimpression et est compatible avec une future application indusrielle.
