• À propos de WordPress
    • Site de WordPress-FR
    • Documentation
    • Forums de support
    • Vos retours
  • Connexion
Skip to content
  • LE LABO
    • Historique du LTM
    • Les équipes
      • Equipe Lithographie
      • Equipe Bio-santé
      • Equipe Matériaux
      • Equipe Gravure
    • Le LTM en chiffres
    • Informations Fournisseurs
    • Infos pratiques
    • Contact
    • Membres du LTM
  • DOMAINES D'APPLICATION
    • Composants pour l'IOT / STIC
      • Optiques
        • µLeds GaN sur piliers Si
        • Dispositif opto-électronique
        • Guide d’ondes silicium
      • Nanoélectroniques
        • Modélisation Nano-électronique
        • Transistors 3D
        • Mémoires OxRAM, ReRAM, FeRAM et PCRAM
    • Composants pour l'Energie
      • Composants de puissance
        • GaN
      • Automotive (transport)
        • Superhydrophobie antigivre
        • Capteur à film mince
        • Nanocomposites pour condensateurs de puissance
      • Photovoltaique
        • Cellules solaires rectenna
    • Composants Bio-Santé-Env
      • Optiques
        • Spectroimageurs Si compact
        • Photodétecteurs Membrane Sc
      • Nanoélectroniques
        • Capteur à nanofils de Si
    • Dispositif piézoélectriques
      • Capteur et nanogenerateur
  • COMPÉTENCES
    • Epitaxie et croissance
      • III-V / Si (sélective sur SiO2)
      • 2D (GaSe-InSe /Si et SiO2)
      • VLS NWs SiGe- GeSn
      • PE-ALD (croissance sélective)
      • PVD (HfZrO2, …)
      • Piezo et ferroélectriques
    • Gravure plasma
      • Nouvelles technologies plasma
      • Simulation plasma-surface
      • Diagnostics des plasmas
      • Procédés plasma CMOS avancés
      • Procédés plasma III-V
      • Patterning ultime
      • Métrologie de rugosité de motifs
      • Plasmas et graphène
    • Structuration polymère
      • Rugosification plasma polymères
      • Lithographie par auto-organisation dirigée de copolymères à blocs
      • Fonctionnalisation
      • Nano-impression
      • Nanocomposites
    • Santé
      • Biophysics of cell adhesion
    • Métrologie
      • CAFM commutation de résistance
      • Modélisation
      • Métrologie hybride
      • Imagerie ellipsométrique
    • Intégration 3D
      • Intégration 3D
  • PLATEFORMES
    • PTA SB Renatech
      • Présentation PTA
    • Moyens du LTM
      • Procédés de techno avancées
        • ICP Etching & Epitaxy Tool_AMAT
      • Moyens souples de µ-fabrication
      • Caractérisation physico-chimique
        • Moyens de microscopie électronique (FIB-SEM, STEM, EDX)
        • AFM s
        • EquipEx Impact (XPS, ellipso, Raman PL)
  • PARTENAIRES
    • Industriels
    • Labo académiques
    • Autres
  • PROJETS DE RECHERCHE
    • Projets Européens et Internationaux
    • Projets Nationaux Académiques
    • Autres Projets
  • Membre du LTM
Menu

µLeds GaN sur piliers Si

La croissance de GaN sur Si donne lieu à de multiples développements pour réduire le taux de dislocations et ainsi améliorer la qualité des couches et empilements pour la réalisation de composants optiques tels que µLEDs et lasers.
Nous avons développé un procédé technologique pour réaliser des piliers dans un empilement GaN sur substrat SOI.
La déformation des piliers de 150 nm de diamètre lors de la recroissance par pendeo épitaxie permet une amélioration sensible de la qualité des couches recrues.
Ce procédé est basé sur une étape de nanoimpression et est compatible avec une future application indusrielle.

Contrat carnot : Nanopegs

Partenaires : CEA/LETI et CHREA

Contact : cecile.gourgon@cea.fr

LTM

Copyright © AllTopGuide 2023 • Theme by OpenSumo